從現(xiàn)在開始，5G這無疑是半導(dǎo)體制造商關(guān)注的市場�；仡櫼苿�(dòng)通信的發(fā)展過程，每一代移動(dòng)通信系統(tǒng)都可以通過標(biāo)志性能力指標(biāo)和核心關(guān)鍵技術(shù)來定義：

南皇電子專注于整合中國優(yōu)質(zhì)電子Avago代理商現(xiàn)貨資源是國內(nèi)領(lǐng)先的安華高芯片供應(yīng)商，提供合理的行業(yè)價(jià)格、戰(zhàn)略備貨、快速交付控制，輕松滿足您的需求Avago芯片采購需求.（http://www.clhwc.cn/）

1G采用頻分多址(FDMA)，只能提供模擬語音業(yè)務(wù)；

2G主要采用時(shí)間多址(TDMA)，可提供數(shù)字語音和低速數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)；

3G以碼分多址(CDMA)作為技術(shù)特征，用戶峰值率達(dá)到2Mbps至數(shù)十Mbps，可支持多媒體數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)；

4G多址分為正交頻(OFDMA)以技術(shù)為核心，用戶峰值率可達(dá)100Mbps至1Gbps，可支持各種移動(dòng)寬帶數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)。

來到了5G，其關(guān)鍵能力比前幾代移動(dòng)通信更豐富，用戶體驗(yàn)率、連接密度、端到端延遲、峰值速率和移動(dòng)性將成為5G關(guān)鍵性能指標(biāo)。

再加上新興的物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用對5G需求更高，在5G對設(shè)備也有進(jìn)一步的要求。高通高級工程主管John Smee所說，5G對電池壽命、可靠性等方面的要求較高。

根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)ReportsnReports報(bào)告顯示，5G到2025年，互聯(lián)網(wǎng)將產(chǎn)生2500億美元的年收入，這必將給最近苦苦掙扎的半導(dǎo)體帶來新的曙光。

挑戰(zhàn)和機(jī)遇

雖然業(yè)界對5G 期望很高，但是對于5的布局G目前，網(wǎng)絡(luò)仍面臨諸多挑戰(zhàn)。例如，盡管如此OEM與芯片制造商正在開發(fā)相關(guān)的5G產(chǎn)品，但5G標(biāo)準(zhǔn)尚未確定，這是第一個(gè)挑戰(zhàn)。

其次，業(yè)內(nèi)人士都知道，現(xiàn)在LTE網(wǎng)絡(luò)的運(yùn)行頻率范圍為700MHZ到3.5GHZ，但在5G除了LTE未經(jīng)授權(quán)的毫米波頻段(30GHZ到300GHZ為了提高無線數(shù)據(jù)無線數(shù)據(jù)容量。這將給移動(dòng)系統(tǒng)和基站系統(tǒng)處理器、基帶和RF設(shè)備帶來了更多的新需求。于RF5.芯片供應(yīng)商G它將給它們帶來前所未有的新需求，包括一種稱為毫米波相控陣天線的技術(shù)。

這種毫米波設(shè)備已經(jīng)應(yīng)用于太空和軍事，逐漸遷移到汽車?yán)走_(dá)和60GHZ WIFI和即將到來的5G但這并不是一個(gè)簡單的遷移，設(shè)計(jì)和設(shè)計(jì)的操作模式甚至毫米波Avago公司給廠商帶來新的挑戰(zhàn)。

這種芯片的設(shè)計(jì)不僅會(huì)變得非常困難，而且在測試中也會(huì)給制造商帶來新的挑戰(zhàn)。

在NI一篇文章提到，由于這些毫米波的波長在1到10毫米之間，制造商從物理層探索以提高頻譜的利用率MIMO、干擾協(xié)調(diào)等技術(shù)方法會(huì)帶來很高的路徑損失，有些頻段甚至在水蒸氣中也會(huì)面臨傳輸損失的挑戰(zhàn)。此外，在密集的城市環(huán)境信道測量中，發(fā)現(xiàn)集成方向控制天線波束和網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浞涓C系統(tǒng)需要更高的鏈路預(yù)算。所有這些都將給測試制造商帶來強(qiáng)大的挑戰(zhàn)。

Skyworks首席技術(shù)官 Peter Gammel，也表示，由于5G對化合物半導(dǎo)體化合物半導(dǎo)體提出了新的要求。

我們可以分析手機(jī)、基站、測試和包裝：

(1)基站

5G在實(shí)際應(yīng)用中，帶相控陣天線的手機(jī)將向基站和微蜂窩基站發(fā)送信號，基站和微蜂窩基站將與相控陣天線對接，實(shí)現(xiàn)信號連接。

要實(shí)現(xiàn)上述功能，還有一些問題要解決。例如，天氣狀況會(huì)影響信號路徑�！霸诤撩撞�頻段，由于氧氣和吸收造成的路徑損失會(huì)更大，”AnokiwaveCEO Robert Donahue解決辦法是采用波束成型技術(shù)。

Anokiwave有一個(gè)叫5G四核”的IC，工作頻率為28GHz，具有相控陣功能。IC微蜂窩基站等系統(tǒng)可采用硅鍺工藝。

理論上，這種芯片可以與基站通信。G不同，4.5G和5G設(shè)備必須大規(guī)模支持MIMO技術(shù)。基站射頻功率管一般采用LDMOS但藝，但現(xiàn)在LDMOS該工藝正在氮化鎵中(GaN)工藝替代。這是半導(dǎo)體行業(yè)的第一個(gè)挑戰(zhàn)和機(jī)遇。

“和LTE-A一樣，5G穩(wěn)茂半導(dǎo)體高級副總裁DavidDanzilio穩(wěn)茂半導(dǎo)體提供GaAs和GaN工藝OEM服務(wù)。LTE更高頻率，GaN技術(shù)已經(jīng)開始擴(kuò)大市場份額。

“GaN是寬禁帶材料，StrategyAnalytics的Higham說，這意味著GaN能夠承受更高的電壓也意味著GaN設(shè)備的功率密度和工作溫度較高。所以，與GaAs和磷化銦(InP)與其他高頻工藝相比，GaN設(shè)備輸出功率更大；和LDMOS和SiC與碳化硅等其他功率工藝相比，GaN頻率特性較好�！�

將來，5G手機(jī)中的PA甚至可以用GaN來制造�！癎aN特別是在高頻應(yīng)用中，也高頻應(yīng)用中。Qorvo無線基礎(chǔ)設(shè)施和產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理 SumitTomar說。

軍用手機(jī)已經(jīng)開始使用GaN但普通智能手機(jī)使用了設(shè)備GaN器件要等一段時(shí)間，因?yàn)橹挥械凸β蔊aN在技術(shù)上取得突破，GaN智能手機(jī)可以放置設(shè)備。